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公司动态

BUK7880-55 SOT223 NXP MOS(场效应管)

发布时间:2021-04-29 17:52浏览量:19

类别:   分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商:   NXP USA Inc.
FET 类型:   N 通道
技术:   MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):   3.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):   10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):   80 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):   4V @ 1mA
Vgs(最大值):   ±16V
功率耗散(最大值):   1.8W(Ta)
工作温度:   -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:   表面贴装型
供应商器件封装:   SOT-223
封装/外壳:   TO-261-4,TO-261AA
漏源电压(Vdss):   55 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):   500 pF @ 25 V

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