类别： 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商： NXP USA Inc.
FET 类型： N 通道
技术： MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V @ 1mA
Vgs（最大值）： ±16V
功率耗散（最大值）： 1.8W（Ta）
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装型
供应商器件封装： SOT-223
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
漏源电压（Vdss）： 55 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 500 pF @ 25 V
