制造商Infineon Technologies
制造商产品编号IRF40R207
描述MOSFET N-CH 40V 56A TO252
详细描述表面贴装型 N 通道 40 V 56A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
类别分立半导体产品
晶体管FET,MOSFET
单 FET,MOSFET
制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®, StrongIRFET™
包装卷带(TR)
剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)56A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.1 毫欧 @ 55A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
68 nC @ 10 VVgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2110 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)83W(Tc)
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号 IRF40R207