制造商Infineon Technologies
制造商产品编号IRF40R207
描述MOSFET N-CH 40V 56A TO252
详细描述表面贴装型 N 通道 40 V 56A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
类别分立半导体产品
晶体管FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®, StrongIRFET™
包装卷带（TR）
剪切带（CT）
FET 类型
N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.1 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
68 nC @ 10 VVgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2110 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）83W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3
封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号 IRF40R207
